薄膜淀積工藝
薄膜材判的淀積方法,可以舉出真空蒸發(fā)、濺射、電解氧化、
鍍覆和化學(xué)氣相淀積(簡(jiǎn)稱CVD)等方法。真空蒸發(fā)及濺射法也
叫物理氣相淀積法(簡(jiǎn)稱PVD法),是最常用的一種薄膜淀積方
法。最近,離子鍍覆法、離子束淀積法及分子束蒸發(fā)法等新的物
理淀積法正處在研究和發(fā)展之中,借助于新的物理淀積方法或良
好的控制手段,可望生長(zhǎng)出薄膜晶體。
電解氧化法主要是對(duì)鉭、鈦和鋁等金屬的電化學(xué)表面氧化法,
以形成針孔少的介質(zhì)或絕緣覆蓋膜。電解氧化法是把要形成氧化
膜的金屬材料作陽(yáng)極進(jìn)行電解氧化,因此又叫陽(yáng)極氧化法。
鍍覆法是一種歷史悠久的薄膜形成技術(shù),但也有問(wèn)題:一是
對(duì)可鍍覆的材料有很大的限制,二是因?yàn)殄兏彩且粋(gè)濕法過(guò)程,
存在對(duì)基片或已制成元件起化學(xué)反應(yīng)及污染問(wèn)題,所以制造膜集
成電路時(shí),一般只用于有限幾種材料的鍍覆,如金等。
CVD(化學(xué)氣相淀積)法,主要用于半導(dǎo)體襯底表面的外延,
即淀積半導(dǎo)體晶體的薄層。
此外,還有用
紫外線使有機(jī)物氣體發(fā)生聚合反應(yīng)等方法,
真空蒸發(fā)法真空蒸發(fā)法與水壺中的水受熱蒸發(fā)后碰
上周圍冷的物體再次成為水滴而析出的情況類似。金屬和介質(zhì)等
薄膜元件材料,因蒸氣壓比水低,所以要使之在空氣中蒸發(fā)是困
難的。此外,使這些材料在空氣中蒸發(fā)時(shí),還存在許多不良問(wèn)題,
如氧化或者生成膜的純度降低等。